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亚砷酸钠对人皮肤角质形成细胞BER相关基因H4K20me1修饰水平及其mRNA转录水平影响
目的 了解不同剂量亚砷酸钠(NaAsO2)对人永生化皮肤角质形成细胞(HaCaT细胞)碱基切除修复(BER)基因聚腺苷酸二磷酸核糖聚合酶-1(PARP1)、N-甲基化嘌呤-DNA-糖基化酶(MPG)、X射线修复交叉互补基因-1(XRCC1)启动子区和编码区组蛋白H4第20位赖氨酸-甲基化(H4K20me1)修饰水平及其mRNA转录水平的影响.方法 以0.00、2.50、5.00、10.00 μmol/L的NaAsO2处理HaCaT细胞24 h.应用实时荧光定量PCR(qRT-PCR)检测MPG、PARP1、XRCC1基因mRNA表达水平;定量染色质免疫沉淀技术(CHIP-qPCR)检测MPG、PARP1、XRCC1基因启动子区(CHIP1、CHIP2区域)和编码区(CHIP3、CHIP4区域)H4K20me1修饰水平.结果 (1) MPG、PARP1、XRCC1基因mRNA表达水平检测结果:2.5 μmol/L染砷组MPG、PARP1、XRCC1基因mRNA表达水平与对照组比较,差异无统计学意义(P＞ 0.05),5.00、10.00 μmol/L组mRNA表达水平随染毒剂量的增加而降低,与对照组比较,各差异有统计学意义(P＜ 0.05).(2)MPG、PARP1、XRCC1基因启动子区和编码区组蛋白H4K20me1修饰水平检测结果:基因启动子区,不同染砷组HaCaT细胞MPG基因启动子CHIP1、CHIP2区和PARP1基因启动子CHIP2区未观察到H4K20me1的富集规律,与对照组相比各差异无统计学意义(P＞0.05),5.00、10.00 μmol/L染毒组HaCaT细胞XRCC1基因启动子CHIP1、CHIP2区和10.00 μmol/L染毒组PARP1基因启动子CHIP1区H4K20me1的富集与对照组相比明显减少,各差异有统计学意义(P＜0.05);基因编码区,5.00、10.00μmol/L染毒组HaCaT细胞MPG、PARP1、XRCC1基因编码CHIP3、CHIP4区H4K20me1的富集与对照组相比明显减少,差异均有统计学意义(P＜0.05).结论 NaAsO2可通过抑制HaCaT细胞PARP1、XRCC1基因启动子区和MPG、PARP1、XRCC1基因编码区H4K20me1的表达水平,使MPG、PARP1、XRCC1基因mRNA转录水平下降.
