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胃经穴位文献资料
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GaAs半导体激光照射足三里穴对人体痛阈的影响
目的探讨GaAs半导体激光穴位照射对人体的镇痛效应.方法健康受试者30名分为3组,每组10名.(1)组采用GaAs半导体激光照射双侧足三里穴(GaAs组),光斑直径0.2cm,脉冲频率95Hz,平均功率密度159mW/cm2,每侧穴位照射15min.(2)组以激光和低频电脉冲(LFEP)交替作用于双侧足三里穴(GaAs+LFEP组),每侧穴位激光和LFEP各作用15min,激光参数同GaAs组,LFEP取可调锯齿状波,频率10Hz,刺激强度以受试者能耐受为限.(3)组为对照组,仅将激光照射头放置于双侧足三里穴上15min,但无激光输出.于照射足三里穴前及照射后15、30min,采用钾离子透入测痛法,分别测量受试者腹部和耳垂痛阈,观察照射前后痛阈变化,并进行组间比较.结果 GaAS组穴位照射后15和30min,腹部痛阈分别比照射前提高35.6%(P＜0.05)和39.7%(P＜0.01),耳垂痛阈分别比照射前提高26.7%(P＜0.05)和24.4%(P＞0.05);GaAs+LFEP组刺激穴位后15和30min,腹部痛阈分别提高42.3%(P＜0.05)和44.9%(P＜0.05),耳垂痛阈均提高44.6%(P＜0.05).GaAs组和GaAs+LFEP组照射或刺激穴位后不同时间的痛阈变化分别与对照组比较,腹部痛阈增高幅度差异均有显著意义(P＜0.05);耳垂痛阈增高幅度GaAs组差异无显著性(P＞0.05);GaAs+LFEP组则差异有显著意义(P＜0.05).结论 GaAs半导体激光照射足三里穴具有明显的镇痛效应,低频电脉冲可加强GaAs半导体激光的镇痛效应,并有全身性镇痛效应和镇痛后效应.
