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  • HERG钾通道在细胞容量调节中的作用

    作者:梁晶;刘惠彬;李哲;刘冬敏;孙向菊;吴禹蒙;张鑫;吴玉波

    目的:研究HERG钾通道在细胞容量调节中的作用,并探讨其作用机制.方法:全部试验应用稳定转染HERG-HEK293细胞和HEK293细胞.应用全细胞膜片钳技术记录HERG钾电流.结果:①当HERG-HEK293细胞处于低渗状态,指令电压为0mV时,Istep增加60%(n=12,P<0.05);如指令电压为+30 mV,Itail增加72.1%(n=11,P<0.01),增大的HERG电流可被特异性HERG钾电流阻断剂Cisapride(100nM)抑制,Istep被抑制97.2%(n=6,P<0.01),Itail被抑制174.1%(n=6,P<0.01).②在低渗状态,指令电压为0 mV时,容量调节性氯通道阻断剂尼氟灭酸(NFA,10 nmol/L)使Istep抑制46.2%(n=12,P<0.01),Itail抑制48.5%(n=11,P<0.01);给以容量调节性氯通道阻断剂DIDS 100 μmol/L时,Istep抑制45.9%(n=12,P<0.01),Itail抑制51.1%(n=11,P<0.01).结论:HERG通道部分参与调节性细胞容量下降过程.其参与的细胞容量调节与容量调节性氯通道的激活相伴随.

  • HERG钾通道对调节性细胞容量下降的作用

    作者:李哲;王玲;焦军东;李宝馨;吕延杰;杨宝峰

    目的 研究HERG钾通道在细胞容量调节中的作用,并初步探讨其机制.方法 应用时滞显微摄影技术检测HEK293细胞和HERG-HEK293细胞在不同渗透压时的细胞容量.结果 ①在低渗外液中,经过调节性细胞容量下降(RVD)过程,HEK293细胞RVD率为(77.8±3)%(n=20,P<0.01);HERG-HEK293细胞RVD率为(174±2.6)%(n=20,P<0.01) .容量调节性氯通道阻断剂NFA 10nmol/L、DIDS 100μmol/L,对上述2种细胞RVD过程均有明显抑制作用;②加HERG通道阻断剂Cisapride 100nmol/L后,HERG-HEK293细胞RVD率为(47.4±5)%(n=20,P<0.01).结论 HERG通道可能部分参与细胞容量调节,可能是调节性细胞容量下降的机制.

  • 容量敏感外向整流性氯通道参与氧化应激介导的系膜细胞凋亡

    作者:焦军东;李哲;艾维;李策;刘素雁;李文志;杨宝峰

    目的探讨容量敏感外向整流性(VSOR)氯通道在H2O2介导系膜细胞凋亡中的作用和可能的机制.方法全细胞膜片钳技术用于检测VSOR氯电流.细胞凋亡通过吖啶橙/溴化乙锭荧光染色、电子显微镜、TUNEL染色和半胱氨酸天冬氨酸蛋白酶(caspase)-3活性确定.结果150 μmol/L H2O2激活系膜细胞VSOR氯电流,H2O2激活的氯电流具有典型的VSOR氯电流电生理特性,包括:外向整流性、电压依赖性失活.对细胞外高渗透压敏感及被VSOR氯通道阻断剂抑制.VSOR氯通道阻断剂DIDS(100 μmol/L),NPPB(10 μmol/L)和尼氟灭酸(10 μmol/L)明显抑制H2O2介导的系膜细胞凋亡.150 μmol/L H2O2处理2 h内,细胞容量明显下降,但这种细胞容量下降被100μmol/L DIDS,10 μmol/L NPPB和10 μmol/L尼氟灭酸抑制.结论VSOR氯通道参与H2O2介导的系膜细胞凋亡,其机制与介导凋亡性容量下降有关.

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