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背侧中缝核文献资料
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高频电刺激大鼠丘脑底核抑制背侧中缝核5-羟色胺表达
本研究探讨高频电刺激丘脑底核对大鼠背侧中缝核5-羟色胺(5-HT)表达的影响.实验动物分两组,刺激组给予高频电流(130 Hz,100 μA,60 μs)刺激大鼠右侧丘脑底核,对照组大鼠右侧丘脑底核植入电极,但无电流输出.刺激结束后,用免疫组织化学方法染色背侧中缝核5-HT能神经元,检测背侧中缝核5-HT能神经元的数量和平均灰度值.结果显示电刺激组背侧中缝核5-HT阳性神经元数日与对照组比明显减少(t(13)=3.786,P=0.002),并且神经递质5-HT表达减少,平均灰度值显著增高(t(13)=7.917,P＜0.001).本实验结果表明高频电刺激丘脑底核对背侧中缝核5-HT能神经元有抑制作用,在应用高频电刺激丘脑底核治疗Parkison病运动障碍时出现的情绪障碍可能与其有关.
