您当前的位置：
首页 > 文献资料
所属专业：
电诱发听性脑干反应(EABR)文献资料
-
大前庭水管综合征患者ABR和人工耳蜗术后EABR反应特征分析
目的 探讨大前庭水管综合征(LVAS)患者的听性脑干反应(ABR)及人工耳蜗植入术后电诱发听性脑干反应(EABR)的特点,为LVAS患者人工耳蜗植入围手术期的电生理监测反应特征提供参考.方法 选择2013年1月至2016年3月在我院行人工耳蜗植入的14例大前庭水管综合征患者.记录人工耳蜗植入前ABR反应阈值及潜伏期,观察声诱发短潜伏期负反应(ASNR)的表现,并统计该波的出现概率.记录患者术后EABR波形、V波阈值及Ⅲ、V波潜伏期,计算Ⅲ、V波引出率及EABR分级.比较ABR的V波和EABR的V波的潜伏期差异.比较ABR出现与不出现ASNR组的EABR反应阈值和V波潜伏期差异.结果 14例患者中有5例术前ABR可引出ASNR,9例无ASNR,V波潜伏期6.6～8.15ms.人工耳蜗植入后有13例引出有意义的EABR波形,平均EABR阈值为190.8CL,平均Ⅲ波潜伏期为1.80ms,平均V波潜伏期为3.59ms,有1例EABR未引出反应.根据Gibson EABR分级标准,ASNR组与无ASNR组EABR波形分化无明显差异.ASNR组EABR阈值177.5CL,无AS?NR组阈值196.7CL,二者有统计学差异.ASNR组V波潜伏期4.71ms,无ASNR组V波潜伏期4.68ms,二者无统计学差异.EABR的V波潜伏期比ABR的V波潜伏期短,二者有统计学差异.结论 LVAS患者的ABR反应中出现ASNR波是其听力学特征性表现之一,但EABR记录不到相应的短潜伏期负反应.EABR的V波潜伏期较ABR短.植入前存在ASNR的大前庭水管综合征患者具有较低的植入后EABR反应阈.
