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MOSFET文献资料
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金属氧化物半导体场效应晶体管测量面罩对表面剂量的影响
目的 使用金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor,MOSFET)探测器测量面罩对表面剂量的影响.方法 选用6 MV和15 MV X射线进行照射,分为有面罩组和无面罩组,用MOSFET分别测量,每组测5次,共测量5种不同密度的面罩.结果 使用面罩后表面剂量明显增加;不同面罩对表面剂量的影响程度不同.结论 使用面罩后射线的剂量建成区出现变化,表面剂量明显提高.临床治疗中需要适当关注皮肤表面的放射反应.
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MAX62X及其在超声波发生器中的应用
针对功率MOSFET栅极输入电容大的特点,本文介绍了专为高速度的功率MOSFET而设计的集成驱动器(ICdriver)MAX626/7/8的主要特性及典型应用电路,并给出了采用该芯片的超声波发生器电路.本发生器具有线路简单、工作稳定可靠、整机体积小、质量轻的特点.
