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事件相关电位与初发和复发精神分裂症临床症状的关系
目的 研究初发精神分裂症(FSZ)和复发精神分裂症(RSZ)患者事件相关电位变异与临床症状的关系,探讨变异性质及相关机制.方法 应用Bravo脑电生理仪及听觉靶-非靶刺激序列技术对96例FSZ、118例RSZ及110名健康成人进行P3检测,并用阳性和阴性症状量表(PANSS)评定患者精神症状.病例组于治疗6周时进行P3随访.结果 在Cz脑区中,FSZ和RSZ患者P3潜伏期延迟及波幅降低与阳性症状分和PANSS总分呈负相关.3组在靶潜伏期N2、P3及非靶P2,波幅P3和非靶波幅P2上的差异有统计学意义(P<0.05或P<0.01).与正常对照组相比,FSZ和RSZ潜伏期N2和P3延迟,P3波幅降低(P<0.05或P<0.01).与FSZ相比,RSZ非靶P2延迟,非靶P2波幅下降(P<0.05).治疗后P3中靶波幅P3的恢复仅见于FSZ患者,不见于RSZ患者.RSZ患者P3的P3波幅,在治疗干预后明显恢复不良.对FSZ和RSZ患者的随访结果显示:P3中潜伏期N2和P3延迟可能属于该疾病的属性标志;而靶波幅P2和P3下降可能属于该疾病的状态标志.结论 本病在发病初期存在认知功能缺陷,这种认知缺陷可能对患者今后的发病、治疗效果和社会功能会产生影响.随访结果提示本病P3变化是混合性标志.