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  • 无抽搐电休克治疗对精神分裂症患者短时记忆损伤及恢复周期的影响研究

    作者:张红;于滨;张国玲;赵洁;柏林

    目的:研究无抽搐电休克治疗(M ECT)对精神分裂症患者短时记忆及恢复周期的影响.方法:40例接受M ECT治疗的精神分裂症患者,分别于治疗前、治疗后、治疗后4周采用阳性与阴性症状量表(PANSS)评估精神症状,分别于治疗前、治疗后、治疗后1周、治疗后2周、治疗后4周采用修订韦氏记忆量表(WM S)测定记忆商数(M Q)和定向、记图等各维度得分评价记忆水平.结果:治疗后和治疗后4周PANSS评分均低于治疗前,且治疗后4周低于治疗后,差异有统计学意义(P<0.05).M ECT治疗后M Q总分为低于治疗前,治疗后1周、2周、4周均高于治疗后,差异均有统计学意义(P<0.05).各维度中,治疗后记图评分显著低于治疗前,治疗后4周定向、累加、再认、联想、理解评分显著高于治疗前,差异有统计学意义(P<0.05).结论:M ECT 治疗可显著改善精神分裂症患者精神症状,但会引起短时记忆损伤,治疗后1周可逐渐恢复到治疗前水平,且部分维度的记忆能力较治疗前改善.

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