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微秒脉冲电场文献资料
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电穿孔过程中细胞膜电导率变化条件下的跨膜电压研究
基于经典球形单细胞五层介电模型,并考虑电穿孔过程中细胞膜电导率的变化,对微秒脉冲电场作用下的细胞内外膜跨膜电压进行了仿真分析,以及脉冲电场诱导人宫颈癌细胞系Hela凋亡的实验研究.仿真分析发现,随着细胞穿孔程度的加剧,细胞膜电导率增加,内、外膜跨膜电压的比值不断增加,表明外加脉冲电场对内膜的影响不断增强,其作用靶点逐渐透过细胞膜进入胞内细胞器.同时,实验结果也表明随着脉冲电场场强不断增加,微秒脉冲电场所诱导的Hela细胞的凋亡率随之增加,从而间接证实了仿真分析的结果.现有研究普遍认为微秒脉冲电场的作用靶点为细胞外膜,本研究关于微秒脉冲电场对细胞内膜作用的研究结果是对已有研究的重要补充和发展.
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低频电刺激对人子宫颈癌SiHa细胞增殖及迁移能力的影响
目的 探讨低频电刺激对人宫颈癌SiHa细胞的影响.方法 对处于生长对数期宫颈癌SiHa细胞,根据低频电刺激强度分为20 mA、40 mA和60 mA及对照组,刺激时间30 mins,采用CCK-8增殖试验检测细胞的增殖能力.采用Transwell小室进行人工重组基底膜侵袭和转移试验,检测细胞侵袭和转移能力.结果 不同低频电刺激后,四组4、24、48、72 h细胞增殖力比较,差异无统计学意义(P＞0.05).Transwell小室试验显示,不同低频电刺激后,四组细胞侵袭转移力比较,差异无统计学意义(P＞0.05).结论 低频电刺激对人宫颈癌SiHa细胞的增殖和侵袭转移能力无明显影响,但尚需进一步研究证实.
