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  • 圆柱型Halbach永磁魔环研究进展

    作者:张鞠成;王志康;娄海芳;黄天海;张华青;徐文龙

    受局部饱和和局部退磁效应的影响以及磁材料性能的限制,永磁体的气隙磁场一般难以达到4T.Halbach永磁魔环结构磁材料利用效率高,且能够产生比剩磁更高的静磁场,因而近年来在磁共振成像领域得到了广泛关注.本文针对Halbach永磁魔环的构成形式,介绍了永磁魔环、阵列永磁魔环、永磁双魔环和单边永磁魔环的研究现状,分析了这些魔环结构由于永磁磁块形状、尺寸,永磁材料受温度变化影响,和加工工艺等因素引起的磁场均匀性较差等主要问题,并对圆柱型Halbach永磁魔环在NMR、MRI和便携式分析仪器等方面的应用进行了展望.

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