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局灶性痫性放电对脑性瘫痪患儿认知发育的影响
目的:研究局灶性痫性放电对脑瘫患儿认知发育的影响.方法:回顾性研究伴痫性放电的脑瘫患儿脑电图结果,分析局灶性放电的分布特征;使用Gesell量表对伴及不伴痫性放电脑瘫患儿认知发育水平进行评估,并对发育商(DQ)进行比较.结果:71例伴局灶性痫性放电脑瘫患儿的放电部位以脑前部为主,中央区比例高,为17例(23.94％),其后依次为额区(16例,22.54％)、颞区(12例,16.90％)、顶区(11例,15.49％)、枕区(8例,11.27％)以及前额(7例,9.86％);左右半球放电比例无明显差异.伴局灶性痫性放电的患儿(总DQ:42.09±16.31,应人能:46.50±20.01、应物能:45.01±17.69、粗大运动能:33.21±16.40、精细运动能:37.91±16.60、言语能:47.81±19.91)与无痫性放电患儿(总DQ:55.91±16.22,应人能:57.42±22.49、应物能:56.70±20.16、粗大运动能:49.65±19.09、精细运动能:54.22±20.33、言语能:61.58±23.22)相比,总DQ值及各能区DQ值均低于无临床下放电患儿,差异具有显著性意义(P＜0.05).不同脑区放电患儿除中央区放电的粗大运动DQ值低于枕区并有显著性意义外(P＜0.05),其余不同脑区放电患儿在各能区的DQ值差异均无显著性意义(P＞0.05);左侧半球放电患儿在除应物能外所有能区DQ值(总DQ:35.25±14.58,应人能:39.00±17.95,应物能:39.81±17.12,粗大运动能:24.77±15.13,精细运动能:30.81±15.61,言语能:41.86±18.04)均低于放电位于右侧半球患儿(总DQ:49.53±15.09,应人能:55.47±20.11、应物能:50.52±16.92、粗大运动能:39.15±13.74、精细运动能:45.26±15.21、言语能:57.26±19.50),差异具有显著性意义(P＜0.05).结论:局灶性痫性放电对脑瘫患儿认知发育有明显影响,不同脑区放电的影响程度无显著性差异,但左侧半球放电对患儿影响较右侧明显,对脑瘫患儿临床下放电进行干预可能改善认知发育.
