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错误相关负电位及其在精神科的临床应用
精神科患者(如精神分裂症、抑郁症患者等)常出现多种形式的思维异常和行为异常,但自己却不能察觉(自知力丧失或减退).提示患者对错误[异常思维或(和)行为]的内部监控机制可能出现了问题,因此,在出现异常思维或(和)行为时,不能及时发现并在以后的行为和思维中进行更正.对这些患者的内部错误监控机制进行研究,有助于进一步揭开精神疾病的本质.近年来,很多学者使用事件相关脑电位(event-related brain potentials,ERP)技术来研究精神疾病患者的错误监控机制,并取得了一定进展,我们对该方面的研究作一综述.
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介绍一种脑电生理新技术—错误相关负电位
错误相关负电位(error-related negativity,ERN)是近年来欧洲和美国广泛应用的新技术,已进入精神科临床,以下作个简单介绍.一、ERN原理ERN是事件相关电位的一个成份,发生于错误行为出现后100～150 ms,或错误行为发生当时,波幅约10 μV,因其为负波而得名.Falkenstein等人发现,当个体在执行有一定时间紧迫感的任务并出现错误的行为反应后,在其头皮会记录到一个事件相关电位的晚负电位成份,于额中央区波幅大,他们将其命名为错误负电位(errornegativity,Ne).紧随其后,会记录到一个错误正电位(error positivity,Pe),其波幅在额顶区大(由于Pe所代表的心理活动过程仍不明确,关于其研究进展也较少).
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康复期男性海洛因依赖者的错误相关负电位的病例对照研究
截止2011年底,全国登记吸毒人群中滥用海洛因人员共115.6万人,然而国内对海洛因依赖者神经心理功能的研究较少.目的:探讨康复期男性海洛因依赖者高级认知功能的重要指标之一,即错误相关负电位(error-related negativity,ERN)的特征.方法:符合DSM-IV诊断标准的男性海洛因依赖者20例和健康对照者15人完成视觉Eriksen Flanker刺激任务.该任务共800个刺激,在目标刺激两侧呈现与目标不完全一致的干扰刺激,以此诱发错误应答及ERN.记录被试头皮32导脑电图(EEG)信号.比较患者组与对照组的平均错误率和执行任务的反应时,并比较额叶中线3处EEG电极位置(Fz、FCz和Cz)原始ERN以及ERN差异波(在错误应答波基础上减去正确应答波后的负波)的波幅和潜伏期.结果:两组的错误率无明显差异,但与对照组相比,患者组的正确反应时和错误反应时均缩短.无论是原始ERN还是ERN差异波,患者组的波幅均低于对照组.由于患者组受教育年限较低,经校正后,两组波幅差异无统计学意义.患者组的原始ERN和ERN差异波的潜伏期均比对照组短,校正受教育水平后差异仍有统计学意义.海洛因依赖组ERN差异波波幅与吸毒年限呈正相关.结论:研究结果提示有海洛因依赖史的个体存在冲动控制能力受损以及错误监控功能异常.关于成瘾障碍个体认知功能障碍的神经机制的研究日益增加,本研究也为这一文献库添砖加瓦.
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错误相关负电位在焦虑障碍、抑郁症中的应用
错误相关负电位(error-related negativity,ERN)本质上属于事件相关电位,典型的ERN是错误行为发生后50～100 ms,或错误行为发生当时出现的一个负波,波幅约10μV[1].一般认为,ERN反映了个体对错误的监测及处理,即在一次犯错后为防止短时间内再次出现类似错误而进行的自我调整.多种反应模式和不同难度的任务都可以引出ERN,其在头皮的分布以额中央区[2]为主,通过源定位研究[3]、脑磁波记录[4]以及脑内记录[5]推测,ERN产生于前扣带回皮质(anterior ingulate cortex,ACC).
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错误相关负电位及N400在精神分裂症研究中的应用
精神分裂症是一种重性精神病,人群患病率高达1％.该病侵袭青壮年人群,一旦发病基本丧失劳动能力,并带来社会的不安定因素,并给社会和家庭造成极大的负担.《中国精神卫生工作规划》中已把精神分裂症列为临床头号重大防治疾病.其发病机制至今尚不明确.近年来,美国及欧洲学者应用事件相关电位(ERP)中的错误相关负电位(ERN)及N400两个新指标来研究精神疾病患者的脑功能机制,取得了新进展.苏州广济医院从2009年引进德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统以来,已发表了10余篇学术论文.在此基础上获得江苏省卫生厅赞助的精神分裂症患者研究项目.以下对ERN及N400在精神分裂症研究中的应用作一介绍.
