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不同粒径二氧化硅对人脐静脉内皮细胞损伤的比较
目的:观察并比较纳米二氧化硅(SiO2)和微米二氧化硅(SiQ)颗粒物对人脐静脉内皮细胞(human umbilical vein endothelial cells,HUVECs)的毒性作用.方法:将40μg/ml的纳米SiO2和微米SiO2颗粒物混悬液分别与HUVECs共培养不同时间(6、12、24、48 h),观察两种颗粒物的毒性作用.检测的毒作用指标有总超氧化物歧化酶(SOD)活性、肿瘤坏死因子-α(TNF-α)和白介素-6(IL-6)的释放量.结果:与空白对照组相比,染尘6、12、24、48 h,两组细胞培养液上清中LDH均明显增加(P＜0.05);与空白对照组相比,染尘6、12、24、48 h,纳米组细胞培养液上清中TNF-α和IL-6释放量均明显增加(P＜0.05);染尘24、48 h,微米组细胞培养液上清中TNF-α和IL-6释放量均明显增加(P＜0.05);纳米组和微米组细胞培养液上清中SOD活性先增加后降低(P＜0.05).随染尘时间的延长,两组细胞培养液上清中TNF-α和IL-6释放量均增加,而SOD活性先增加后降低.纳米组细胞培养液上清中LDH、TNF-α及IL-6释放量均明显高于微米组(P＜0.05),染尘6、12 h,纳米组SOD活力明显低于微米组(P＜0.05),染尘24 h,纳米组SOD活力明显高于微米组(P＜0.05).结论:两种颗粒物均能引起HUVECs损伤,其中纳米SiO2颗粒物损伤作用较大,两种粒径颗粒物毒性效应存在时间效应.
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纳米二氧化硅毒性机制研究
随着纳米技术在世界范围内的迅速发展,纳米颗粒在生产生活中运用越来越普遍,其中纳米二氧化硅材料广泛运用于生物医学领域,特殊的理化特性导致其对机体的毒理作用也与常规材料不尽相同.国内外研究显示纳米二氧化硅对机体的毒作用机制主要有氧化损伤及炎症反应、影响细胞凋亡改变细胞周期、细胞膜毒性以及DNA损伤几个方面,本文将从以上几个方面进行综述.
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纳米二氧化硅搭载4’-去甲基表鬼臼毒素对人宫颈癌HeLa细胞的增殖抑制作用研究
目的 研究鬼臼毒素、4'-去甲基表鬼臼毒素及其与不同比例纳米二氧化硅(SiO2)的联合用药对人宫颈癌HeLa细胞的体外增殖抑制作用,并探讨其机制.方法 采用正硅酸乙酯水解法制备25 nm SiO2样品,将其进行表面改性后搭载4’-去甲基表鬼臼毒素;MTT法检测SiO2、鬼臼毒素、4'-去甲基表鬼臼毒素和联合用药(12.500、1.250、0.125μg/mL纳米SiO2分别搭载6.25 μg/mL 4’-去甲基表鬼臼毒素)对HeLa细胞体外增殖的抑制作用;Hoechst 33342染色法检测25nmSiO2的细胞相容性、鬼臼毒素和4'-去甲基表鬼臼毒素对细胞凋亡影响;倒置显微镜观察联合用药对细胞形态的影响;Western blotting技术检测4'-去甲基表鬼臼毒素和联合用药对HeLa细胞凋亡相关蛋白表达的影响.结果 4'-去甲基表鬼臼毒素对HeLa细胞的增殖抑制作用优于鬼臼毒素,联合用药对HeLa细胞的抑制作用优于单一4’-去甲基表鬼臼毒素,且0.125 μg/mL纳米SiO2搭载6.25 μg/mL 4'-去甲基表鬼臼毒素时,抑制作用明显;鬼臼毒素、4’-去甲基表鬼臼毒素和联合用药均可诱导细胞凋亡;4'-去甲基表鬼臼毒素和联合用药可以上调Bax/Bcl-2比值及Caspase-3、p53、p38的表达水平.结论 SiO2联合用药对HeLa 细胞的增殖抑制作用优于单一4’-去甲基表鬼臼毒素,其作用机制可能为,通过影响Bcl-2、Bax、Caspase-3、p53、p38等凋亡相关蛋白表达诱导细胞凋亡.
关键词： 鬼臼毒素 4'-去甲基表鬼臼毒素 纳米二氧化硅 Hela细胞 细胞凋亡 -
纳米二氧化硅经鼻黏膜染毒对大鼠睾丸毒性的机制研究
目的:利用蛋白质组学技术研究纳米二氧化硅颗粒对SD雄性大鼠生殖系统的损伤机制,为深入了解纳米材料的毒性效应及机制提供科学依据.方法:采用鼻腔滴入纳米二氧化硅分散液方式对SD雄性大鼠进行染毒,设置为纳米二氧化硅组;同时经鼻腔滴入生理盐水设置为生理盐水对照组.两组于4周后断颈处死并取睾丸组织.利用荧光差异双向电泳(2D-DIGE)联合基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)技术筛选并鉴定出差异表达蛋白,Western blot验证差异蛋白.结果:共筛选并鉴定出9个差异表达的蛋白,分别是GRP78、HSP7C、KNT1、HSP72、ALBU、STIP1、PDIA1、ALDR和GDIR1;并经Western blot验证了PDIA1和HSC70表达水平变化与2D-DIGE实验结果一致.结论:本研究发现纳米二氧化硅作用后大鼠睾丸组织中凋亡相关蛋白PDIA1和HSC70发生异常变化,初步阐明了二氧化硅染毒导致大鼠生殖毒性的细胞凋亡分子机制,为预防纳米二氧化硅毒性奠定基础.
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Hoechst33342/PI双染法和TUNEL染色技术检测神经细胞凋亡的对比研究
目的：利用Hoechst33342/PI双染法和原位末端标记法(TUNEL染色检测纳米二氧化硅(nm-SiO2)对神经细胞凋亡的影响，比较两种检测方法的优缺点。方法：以体外培养的人神经母细胞瘤SK-N-SH为研究对象，15和30 nm粒径的nm-SiO2(剂量为2.5、5、10μg/mL)分别处理细胞24 h，另设1~5 m SiO2组和溶剂对照组，采用Hoechst33342/PI双染法和TUNEL染色检测各处理组对SK-N-SH细胞凋亡的影响。结果：与对照组相比，两种检测方法分析均显示了nm-SiO2处理组SK-N-SH细胞凋亡率显著增加(P<0.05)，且具有尺寸、剂量依赖性，而微米级SiO2对凋亡的影响不显著(P>0.05)。结论：nm-SiO2能诱导SK-N-SH细胞凋亡。Hoechst33342/PI双染法特异性高，简单易行；TUNEL法灵敏度高，能检测少量的细胞凋亡，但成本较高，两种方法可结合使用以便更加准确的检测神经细胞的凋亡。)μ
关键词： 纳米二氧化硅 神经细胞 凋亡 Hoechst33342/PI双染 TUNEL
