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  • 精神分裂症首次发病患者错误监控功能改变的初步观察

    作者:郑成应;陈兴时;唐云翔;徐一峰;张晨;张明岛;楼翡璎;梁建华;陈冲;陈中鸣

    目的 探讨精神分裂症首次发病患者错误相关负电位(ERN)的变化特征.方法 应用德国Brain Products公司的事件相关电位记录与分析系统,以改良后的视觉Erikson Flanker范式为刺激材料,对58例首次发病精神分裂症患者(患者组)和62名对照者(对照组)进行ERN检测,比较2组间ERN潜伏期与波幅的差异.结果 (1)患者组的正确反应次数(476.59±162.47)次,明显低于对照组(641.27±154.58)次,t=5.69,P<0.01;正确反应和错误反应的反应时与对照组比较差异无统计学意义.(2)与对照组比较,患者组ERN潜伏期在Cz[(58±14) ms∶ (49±13) ms;t=3.63,P<0.01]、Fz[(60±11) ms∶(47±13) ms;t=5.91,P<0.01]、C3[(57±17) ms∶ (50±14) ms; t=2.43,P<0.05]和C4[(60±13) ms∶ (51 ±12) ms;t =4.08,P<0.01]上明显延迟,波幅在Cz[(5.0±2.8) μV∶(7.5±3.1)μV;t=4.73,P<0.01]、C3[(5.5±4.0) μV∶ (8.0±3.7) μV;t=3.58,P<0.01]、Fz[(5.0±3.1) μV∶(7.7±3.8) μV; t=4.24,P<0.01]、Pz[(4.5±3.3) μV∶(7.5±3.0) μV;t=5.17,P<0.01]较对照组低.(3)ERN潜伏期和波幅变化与阳性症状分和PANSS总分之间未见显著性相关.结论 精神分裂症首次发病患者的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了本组患者内在错误监控机制存在缺陷.

  • 不同临床特征对抑郁症首次发病患者错误相关负电位的影响

    作者:王勇;黄丹;陈俊;吴志国;粟幼嵩;黄佳;傅山;陈兴时;陈冲

    目的 探讨抑郁症首次发病患者治疗前后错误相关负电位(error related negativity,ERN)的变化及其不同临床特征对ERN的影响.方法 对80例首次发病未治疗的抑郁症患者(抑郁症组),根据HAMD17总分将其分为重度抑郁组(34例)和中度抑郁组(46例),根据HAMA总分将其分为重度焦虑组(43例)和中度焦虑组(37例),根据HAMD17中的阻滞因子总分将其分为重度阻滞组(30例)和中度阻滞组(50例),于艾司西酞普兰(10~20 mg/d)单药治疗前和治疗8周后分别检测各组ERN,比较抑郁症组与健康对照(对照组,60名)、抑郁症组治疗前后及抑郁症不同临床特征亚组间ERN的差异.结果 (1)抑郁症组基线ERN波幅-5.38(-4.62,-8.14)μV]高于对照组[-4.26(-3.01,-6.23)μV,Z=-2.081,P<0.05];(2)抑郁症组治疗前后ERN潜伏期和波幅差异均无统计学意义;(3)重度抑郁组、中度抑郁组和对照组间ERN波幅差异有统计学意义(Z=7.648,P<0.05),重度焦虑组、中度焦虑组和对照组间ERN波幅差异有统计学意义(Z=8.097,P<0.05),重度迟滞组、中度迟滞组和对照组间ERN潜伏期和波幅差异有统计学意义(F=7.437,Z=7.896,P<0.05).结论 抑郁症患者的ERN波幅增高,焦虑和迟滞症状的严重程度可能影响ERN的变化情况.

  • 错误相关负电位在精神科临床上推广——附50例正常成人分析

    作者:杜向东;张广亚;殷铭;杨勇;潘雯;董日霞;李哲;盖海军;叶刚

    目的:应用引进的德国仪器及新技术探讨并建立健康成人错误相关负电位(ERN)的正常值.方法:应用德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统,对50例21~55岁健康成人右利手受试者,作了ERN检测.结果:(1)32个头皮记录点皆在约100~150ms处出现了一个负波,健康成人ERN波形较稳定.(2)在Cz、Fz、Pz、C3、C45个脑区,建立了健康成人ERN潜伏期和波幅均值.(3)左右侧比较及男女性别比较差异无统计学意义(P>0.05).结论:健康成人ERN较稳定和可靠.ERN可作为一个有临床推广应用价值的ERP而用于神经精神科临床.

  • 注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位的检测

    作者:吕坚;黄军斌;吴荣琴;李桦;孙复林;徐璐;钱玲萍;陈兴时

    目的 探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的错误相关负电位(ERN)的变化特点.方法 应用事件相关脑电位仪,对30例ADHD患儿和30名健康儿童做ERN检测并比较.结果 与健康儿童相比,ADHD患儿的正确反应率明显降低、正确反应和错误反应的反应时明显延长;ERN潜伏期(Cz、Fz、C3和C4)明显延迟、波幅(Cz、C3、Fz和Pz)降低.结论 ADHD患儿的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了患者内在错误监控机制存在缺陷.

  • 48例健康成人错误相关负电位试验分析

    作者:刘秋艳;杜亚松;叶倩倩;陈兴时;楼翡璎;梁建华;陈冲

    目的 利用认知性电位(ERP)探讨健康成人错误监控功能的特征.方法 应用ERP仪,对48例20~55岁健康成年右利手受试者,进行错误相关负电位(ERN)检测.结果 在Cz、Fz、Pz 3个脑区,建立了健康成人ERN潜伏期和波幅均值.结论 健康成人ERN较稳定和可靠,可辅助用于临床认知测试.

  • 事件相关电位中错误相关负电位神经发生源的研究

    作者:唐云翔;王继军;张明岛;陈兴时;谢斌;肖泽萍

    目的 研究健康个体事件相关电位中错误相关负电位(ERN)的神经发生源.方法 以24名健康志愿者为被试,采用高密度事件相关电位记录技术,由修改后的视觉Eriksen Flanker任务引出ERN,经LORETA技术对ERN差异波顶点前后125 ms时间窗口内的神经发生源进行研究.结果 被试者的错误反应率为(10.29±5.91)%,错误反应次数与ERN差异波平均波幅呈正相关(r=0.53,P<0.01);与正确判断反应相比,错误判断反应引出的ERN波幅明显增大(P<0.001),潜伏期延迟(P<0.05);差异波顶点后25~74 ms时ERN激活的脑功能区主要为额上回、额中回、额内侧回(Brodmann 6区),差异波顶点后75~124 ms时ERN激活的脑功能区位于中央后回(Brodmann 2区).结论 ERN神经发生源位于额叶(Brodmann 6区)及顶叶中央后回.

  • 双相抑郁与首发抑郁障碍患者错误相关负电位的对照研究

    作者:王勇;符浩;赵雅娟;周儒白;王凡;赵国庆;毛睿智;杨涛;陈俊;黄佳;粟幼嵩;曹岚;陈兴时;陈冲;方贻儒

    目的:比较双相抑郁与首发抑郁障碍患者错误相关负电位(ERN)的差异及影响因素.方法:对42例双相抑郁障碍患者(双相组)、41例首发抑郁障碍患者(首发组)给予相应的药物治疗8周;治疗前后分别给予汉密尔顿抑郁量表17项(HAMD-17)、汉密尔顿焦虑量表(HAMA)、杨氏躁狂量表(YMRS)评估及错误相关负电位(ERN)检测;ERN波幅及潜伏期与40名性别、年龄、受教育年限相匹配的健康对照者(对照组)比较;分析治疗前后HAMD-17、HAMA评分与ERN波幅及潜伏期的关系.结果:基线期3组间ERN波幅差异有统计学意义(P<0.05);双相组ERN波幅明显低于对照组及首发组(P均<0.05);双相组和首发组ERN潜伏期与波幅治疗前后比较差异无统计学意义,但双相组治疗前后ERN波幅的差值明显小于首发组(P<0.05).基线期双相组和首发组HAMD-17评分与ERN潜伏期呈正相关,与ERN波幅呈负相关(P均<0.05);HAMA评分与ERN波幅呈正相关(P均<0.05).结论:双相抑郁障碍患者对错误信息监控能力受损,且治疗后难以恢复;伴有中度焦虑的抑郁发作患者错误监控功能增强;ERN指标或可以作为双相抑郁识别及疗效预测的生物学标记.

  • 强迫症与精神分裂症错误相关负电位的比较研究

    作者:杨卫敏;肖泽萍;张敏;李惠;唐莺莹;王继军

    目的 比较强迫症和精神分裂症患者的错误相关负电位(error-related negativity,ERN).方法 检测21例强迫症患者和19例首发精神分裂症患者的ERN和正确相关负电位(correct-related negativity,CRN),并与23名正常对照进行比较.结果与正常对照组相比,强迫症组ERN波幅增高(Z=-2.60,P<0.01),精神分裂症组ERN波幅降低(Z=-2.16,P<0.05)而潜伏期延长(t=3.60,P<0.01).与强迫症组相比,精神分裂症组的ERN波幅降低(Z=-3.75,P<0.01)而ERN潜伏期延长(t=2.70,P<0.05).CRN波幅和潜伏期在三组间差异无统计学意义(P>0.05).无论是强迫症组,还是精神分裂症组,其ERN/CRN指标与临床精神症状之间均未见相关(P>0.05).结论 强迫症和精神分裂症的ERN均存在异常但方向相反,提示ERN可能作为二者鉴别诊断的参考.

  • 首发抑郁症患者的错误相关负电位

    作者:张选红;唐莺莹;江开达;李惠;王继军

    抑郁症除了有情绪低落、兴趣减退、思维阻滞等三大核心症状之外,认知功能的减退也是一个值得关注的方面,其中包括执行功能受损[1].行为监控是反映执行功能的重要方面.研究表明,个体内在的行为监控过程与错误反应的事件相关电位(even-related potential,ERP)关系密切,例如错误相关负电位(error-related negativity,ERN)[2].

  • 错误相关负电位单次检测技术研究

    作者:张锐;逯鹏;牛新;刘素杰;胡玉霞

    当个体在感知发生错误时,会在头皮额中央区产生错误相关负电位(ERN).ERN 信噪比低、个体差异大,单次检测 ERN 比较困难.本文采用 ERN 大脑活动模式图和离线识别正确率的方法优选脑电信号通道,进一步基于 ERN 离线识别正确率对时间段进行优选,然后基于小波变换对 ERN 的低频时域特征与高频时—频域特征进行了分析,在此基础上提出了 ERN 的单次检测算法.后,通过使用优选出的 6 个通道反馈刺激后200~600 ms 的脑电数据,提取 0~3.9 Hz 频段的降采样点特征和 3.9~15.6 Hz 频段的能量、方差特征,对 ERN 和非 ERN 进行单次识别,在 10 名受试者中实现了 72.0% ± 9.6% 的识别正确率.本文的研究结果有助于错误指令实时纠正技术在脑—机接口在线系统中的应用.

  • 注意缺陷多动障碍儿童哌醋甲酯治疗前后错误监控功能的动态观察

    作者:吕坚;宋立升;黄军斌;吴荣琴;李桦;孙复林;徐璐;钱玲萍;陈兴时

    目的 探讨注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位(error-related negativity,ERN)变化与治疗的关系.方法 应用德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统,对38例ADHD和30名健康儿童作了ERN检测.结果 (1)注意缺陷多动障碍组的正确反应率明显低于健康儿童组,正确反应和错误反应的反应时明显比健康儿童组长.(2)与健康儿童组相比,注意缺陷多动障碍ERN潜伏期在Cz、Oz、C3和C4上明显延迟,波幅(Cz、C3、Oz、Pz)较健康儿童组低.(3)患者组在治疗后6月、18月随访时,ERN潜伏期和波幅差异无显著性(P>0.05).结论 注意缺陷多动障碍儿童的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了本组儿童内在错误监控机制存在缺陷.随访ERN变化可能是一种属性标志.

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